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工商時報【記者涂志豪╱台北報導】

素有微電子界的奧林匹克國際盛會的國際級會議IEDM將於下周在美國舊金山召開，旺宏（2337）今年有5篇論文入選，其中2篇更獲得大會評選為焦點論文（Highlight Paper），而旺宏也將在明年2月舉辦的國際固態電子電路會議ISSCC中，宣佈全球首篇6bit/cell快閃記憶體研究成果，先進技術研發進度上已與國際快閃記憶體大廠並駕其驅。

今年旺宏獲選為IEDM焦點論文的2篇研究成果，其中1篇所提出的MiLC（Minimal Incremental Layer Cost）製程工法，將眾多且複雜的位線（Bit Line）以「階梯式」的架構形成對外的連接點，簡化了數據傳輸管道的安排。此製程最大優點在於大幅降低3D記憶體製造過程中所需使用的光罩數目。

另外一篇則是探討快閃記憶體的自我缺陷修復（Self-Healing）技術。快閃記憶體在經過高壓操作重複的編寫及抹除後，材料缺陷的產生將無可避免，導致產品有一定的使用期限，以最先進的記憶體為例，約在1,000次左右。在這篇研究當中，旺宏提出一個嶄新的想法，即提供適當的電流造成區域性的熱源，藉此熱源修復材料的缺陷，不僅可恢復元件既有的功能，同時還能延長元件的壽命。

今年將代表旺宏再度出席與會的旺宏總經理盧志遠表示，IEDM被視為是微電子元件界的奧林匹克盛會，每年皆吸引全球各地傑出的研究成果於會中發表，旺宏12年來在IEDM發表的論文超過45篇，尤其近年來更經常成為 IEDM論文篇數發表最多的台灣企業，今年大會特別推薦的11篇焦點論文中，旺宏就佔了2篇，甚至超越國際指標性大廠。

IEDM平均每年約有來自全球逾600篇一時之選的論文投稿，最後經極嚴謹的程序再評選出200餘篇於會中發表。今年台灣獲選的論文共計有21篇，包括旺宏入選的5篇、國家奈米元件實驗室5篇、交通大學4篇、台積電4篇等等。